更新时间：2018-12-27 10:29:44
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序
前言
第1章 SOI光波导材料
1.1 引言
1.2 硅基光波导材料
1.2.1 几种光波导器件的材料的比较
1.2.2 硅光子学的发展
1.2.3 几种硅基光波导材料的比较
1.3 SOI材料制作技术、性能比较及损耗特性
1.4波导制造的基本工艺
1.5 SOI光波导的数值模拟
1.5.1 束传播方法（BPM）
1.5.2 有效折射率法
参考文献
第2章 SOI波导结构及特性
2.1 SOI脊型波导的结构
2.1.1 矩形截面SOI脊型波导单模条件
2.1.2 SOI矩形截面的脊形波导的制作过程
2.1.3 梯形截面SOI脊型波导单模条件
2.1.4SOI梯形截面的脊形波导的制作过程
2.2 SOI波导的损耗
2.2.1 SOI波导的传输损耗
2.2.2 光波导端面处的耦合损耗
2.3 热氧化方法减小波导散射损耗
2.3.1 热氧化的原理
2.3.2 物理模型和Suprem工艺模拟
2.3.3 实验和模拟结果的比较讨论
2.3.4 分次氧化方法的讨论
2.4 SOI波导与光纤的耦合
第3章 SOI弯曲波导的研究
3.1 弯曲波导损耗机理的分析
3.1.1 等效折射率法的近似
3.1.2 平面弯曲波导的损耗机理
3.2 影响损耗的因素
3.2.1 损耗系数公式
3.2.2 宽度、脊高比、半径和弯曲损耗的关系
3.3 最佳单模弯曲波导结构参数的确定
3.4 弯曲损耗的改善方法
3.4.1 在波导连接处引入偏移量
3.4.2 弯曲波导形状的改善
3.4.3 在波导外侧刻槽
3.4.4 几种改善方法的实验结果比较
第4章 光耦合器
4.1 多模干涉耦合器的基本原理
4.2 多模干涉耦合器的特性
4.2.1 自映像质量
4.2.2 损耗和均匀性
4.3 紧缩型多模干涉耦合器的设计
4.3.1 抛物线锥形多模干涉耦合器
4.3.2 强限制多模干涉耦合器
4.3.3 紧缩型的1×2 3dB多模干涉耦合器的设计
4.3.4 紧缩型的1×2 3dB多模干涉耦合器的制作容差分析
第5章 SOI光开关
5.1 湿法化学腐蚀原理
5.1.1 硅KOH各向异性腐蚀的微观描述
5.2 2×2开关单元的设计
5.2.1 单模波导的设计
5.2.2 MZI结构原理
5.2.3 多模干涉耦合器的设计
5.2.4 热光调制机制
5.3 2×2开关单元的制作
5.4 2×2开关单元的测试数据分析
5.5 端面反射损耗的改善
5.5.1 端面反射损耗
5.5.2 端面反射率的优化
5.6 光开关的封装
5.6.1波导与光纤阵列的耦合对准方法
5.6.2 封装基板的制作
5.6.3 引线键合
5.6.4 封装盒的设计
5.6.5 测试结果
第6章 大规模SOI光开关阵列
6.1 硅的ICP干法刻蚀技术
6.2 光开关阵列的拓扑结构
6.2.1 光开关阵列的分类
6.2.2 完全无阻塞型光开关阵列
6.2.3 重排无阻塞型光开关阵列
6.2.4 阻塞型光开关阵列
6.3 光开关阵列的设计
6.3.1 阵列结构
6.3.2 模斑变换器的引入
6.3.3 交叉波导的设计
6.4 光开关阵列的制作过程
6.5 8×8重排无阻塞型光开关阵列的实验测试结果
6.6 16×16阻塞型光开关阵列的实验测试结果
第7章 SOI光波导器件的应用及其发展
7.1 硅基光子学与光互连技术
7.2 光网络中节点技术的发展
7.3 SOI光开关发展概述
7.4 其他SOI无源光波导器件的研究进展
