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碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术
高远 陈桥梁编著更新时间:2023-01-30 19:34:21
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本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应对——共模电流,共源极电感的影响与应对,以及驱动电路设计。
品牌:机械工业出版社
上架时间:2021-07-01 00:00:00
出版社:机械工业出版社
本书数字版权由机械工业出版社提供,并由其授权上海阅文信息技术有限公司制作发行
碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术最新章节
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- 参考文献
- 9.6.2 DESAT短路保护
- 9.6.1 短路保护的检测方式
- 9.6 短路保护
- 9.5.2 安规与绝缘
- 9.5.1 隔离方式
- 9.5 信号隔离传输
- 9.4.3 米勒斜坡下的驱动能力
- 9.4.2 BJT和MOSFET电流Boost
高远 陈桥梁编著
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