1.3　工艺、电路拓扑和方法论

至少确定三个因素才可以决定最终设计，即工艺、电路拓扑和方法论。图1.2显示了最终设计与这三个因素之间的关系。通过了解这三个因素的“成熟度”水平，可以预见最终设计的“创新性”。为了将集成电路作为产品“商业化”，“成熟度”水平应该很高。研究人员需要考虑将测试设计（Design For Test，DFT）或可制造性设计（Design For Manufacturability，DFM）用于最终设计。

图1.2　设计维度

通常，标准CMOS工艺仅用于数字电路。该工艺没有多个多晶硅，也没有专用的无源元件，如MIM电容器、高薄膜电阻器和电感器。然而，许多模拟电路都使用了标准CMOS工艺。

还有混合信号和射频CMOS工艺，专门用于混合信号和射频应用。射频CMOS工艺已包含用于电感器设计的厚金属。与标准CMOS工艺相比，诸如射频应用之类的先进CMOS工艺价格昂贵。